位于韓國京畿道龍仁的“半導(dǎo)體超級集群”施工現(xiàn)場。 圖片來源：視覺中國
科技日報駐韓國記者?薛嚴(yán)
1月15日，韓國總統(tǒng)尹錫悅在京畿道水原市成均館大學(xué)自然科學(xué)校區(qū)出席民生研討會時表示，政府正在打造貫通京畿道南部地區(qū)的大規(guī)模半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，預(yù)計總投資規(guī)模將達(dá)622萬億韓元（約3.4萬億元人民幣）。
過去兩年時間里，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于低迷狀態(tài)。但隨著近期半導(dǎo)體價格出現(xiàn)回升跡象，同時人工智能（AI）發(fā)展給存儲半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇，韓國政府和相關(guān)企業(yè)期待繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，趁勢擺脫行業(yè)蕭條。
出口轉(zhuǎn)暖顯示積極信號
2022年以來，受全球經(jīng)濟(jì)低迷影響，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)凍結(jié)嚴(yán)重。出口持續(xù)下滑，三星電子、SK海力士等主要半導(dǎo)體企業(yè)均出現(xiàn)數(shù)萬億韓元虧損。但進(jìn)入2023年12月，韓國半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品出口額達(dá)到110.3億美元。相比2022年同期增長21.8%，相比2023年11月增長15%，短時間內(nèi)出現(xiàn)較大漲幅。
作為韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主力產(chǎn)品，存儲芯片DRAM和NAND閃存的價格終止了2年零3個多月的價格下跌趨勢，并開始觸底反彈，連續(xù)3個月保持價格升勢。半導(dǎo)體市場調(diào)查企業(yè)集邦科技數(shù)據(jù)顯示，個人電腦用DRAM通用產(chǎn)品2023年12月平均價格較11月上升6.45%，同期NAND閃存平均價格上漲6.02%。
韓國半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為，2024年一季度存儲芯片價格預(yù)計上漲10%以上，半導(dǎo)體減產(chǎn)的效果正式開始顯現(xiàn)，價格持續(xù)上漲是需求開始超過供給的明確信號。
持續(xù)推出高附加值產(chǎn)品
快速發(fā)展的AI大模型對高性能存儲芯片的需求與日俱增。在高容量、高運算能力的需求下，計算高速互聯(lián)（CXL）、高帶寬存儲器（HBM）等新的存儲技術(shù)備受關(guān)注。
為了趕上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇趨勢，韓國主要半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)針對上述領(lǐng)域集中進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，并持續(xù)推出相關(guān)高附加值產(chǎn)品。CXL方面，三星電子計劃2024年量產(chǎn)基于CXL技術(shù)的DRAM，并已于2023年12月申請了多個CXL產(chǎn)品相關(guān)商標(biāo)。HBM方面，SK海力士將于2024年上半年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品。
全球HBM市場規(guī)模在2024年預(yù)計增長兩倍左右，SK海力士和三星電子在該領(lǐng)域具備技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。特別是SK海力士手握當(dāng)今全球AI芯片領(lǐng)先企業(yè)英偉達(dá)這樣的大客戶，在占據(jù)該領(lǐng)域技術(shù)先機(jī)方面很有信心。
韓國半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為2024年三星電子和SK海力士的業(yè)績將出現(xiàn)大幅反彈。目前，三星電子和SK海力士尚未公布2023年財報，但韓國業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)虧損應(yīng)在750億元人民幣以上，SK海力士虧損應(yīng)在430億元人民幣以上。而隨著存儲芯片市場的復(fù)蘇，預(yù)計三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)2024年營業(yè)利潤可突破800億元人民幣，SK海力士2024年營業(yè)利潤可突破450億元人民幣。
提出構(gòu)想但效果有待觀察
由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)事關(guān)韓國經(jīng)濟(jì)命脈，受當(dāng)前行業(yè)復(fù)蘇態(tài)勢鼓舞，韓國政府對今后數(shù)十年該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出大膽構(gòu)想。
根據(jù)韓國政府1月15日公布的半導(dǎo)體超級集群構(gòu)建方案，韓國到2047年止將投入622萬億韓元，新建包括研發(fā)機(jī)構(gòu)在內(nèi)的16個工廠。在京畿道南部平澤、華城、龍仁、利川、水原等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)密集城市構(gòu)建超級集群。
韓國政府的預(yù)期是，在未來5年內(nèi)投入158萬億韓元，直接或間接創(chuàng)造95萬個就業(yè)崗位。未來20年至少還要創(chuàng)造300萬個優(yōu)質(zhì)工作崗位。韓國目前半導(dǎo)體領(lǐng)域就業(yè)崗位約有18萬個，若集群建成，工作崗位有望大幅增加。半導(dǎo)體設(shè)計、封裝、原材料和零部件領(lǐng)域的合作企業(yè)銷售額有望增長200萬億韓元以上。
芯片產(chǎn)業(yè)需要高品質(zhì)且穩(wěn)定的電力供應(yīng)。一座晶圓代工廠需要一臺1.3千兆瓦功率的核電機(jī)組。為支持上述構(gòu)想，韓國政府表示核電站必不可少，并將在龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園區(qū)率先引入光伏發(fā)電和核電。就2024年即將到期的半導(dǎo)體投資減稅政策，韓國政府表示將延長相關(guān)法律的有效期，從而進(jìn)一步刺激半導(dǎo)體企業(yè)投資，增加相關(guān)企業(yè)生態(tài)鏈的收益，創(chuàng)造就業(yè)崗位，增加國家稅收。
盡管計劃宏大且具體，但由于韓國當(dāng)前半導(dǎo)體業(yè)界人才嚴(yán)重短缺，半導(dǎo)體原材料和設(shè)備自給率過低，韓國政府的上述大膽構(gòu)想能否順利實現(xiàn)尚待觀察。
